半導体 Q and A
e-mail: ikari at cc.miyazaki-u.ac.jp
教 育 (2016年3月定年退職 現在は研究国際部研究推進課）
半導体 Q and A |
皆さんから質問されたことを適宜公開します。内容について私なりに理解している事を書いていますが、必ず自分自身で確認して下さい。その上で間違いがあれば是非知らせて下さい。 | |
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以下の内容の一部については著作権のため論文誌等からの引用図面を削除しています。
従って、理解しにくいかも知れませんが、参考論文を参照しながら読んでいただく様お勧めします
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番 号 |
質 問 内 容 |
日 付 |
#7 |
Hall係数や抵抗率の温度変化から、どれくらい正確に不純物の活性化エネルギーや、バンドギャップが求まるであろうか。 |
11Dec2009 |
#6 |
変分法を使って電場中の水素原子の分極率を計算する |
30AUG2013_revised |
#5 |
光吸収スペクトルから励起子とバンド間遷移を分離する事が出来るか |
18Feb2009 |
#4 |
半導体表面に光があたったとき、バンドはどう曲がるのか 表面状態を考慮しない場合について 表面光起電力が発生する原因は？ 擬Fermi準位は？ |
10Feb2009 |
#3 |
量子井戸内の光学遷移に関する選択則 |
03Feb2009 |
#2 |
縮退した半導体のPLスペクトルについて |
22Jan2009 |
#1 |
有効状態密度の数値計算を行うときに気をつけること |
18Jan2009 |
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