学術論文
(68) GaAsSb/InGaAs tunnel FETs using thick SiO2 mask for regrowth, J. Fan, R. Xu, M. ARAI, Y. Miyamoto, Japanese Journal of Applied Physics, accepted for publication, 2024.(67) Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy Growth of Multilayer Stacked InAsSb/InAsP Superlattices on GaAs and InAs Substrates, Koki Hombu, Kenshiro Hikita, Takeshi Fujisawa, Koji Maeda, and Masakazu Arai, Pyhsica Status Solidi (A), accepted for publication, 2024.
(66) Surface Morphology Improvement by Diethylzinc Doping on Metamorphic InAs on GaAs Using MOVPE, M. Arai, S. Nakagawa, K. Hombu, Y. Hirata, K. Maeda, Journal of Crystal Growth, Vol. 617, 127274, 2023.
(65) 分光反射率から算出した植生指数によるローズグラスの粗タンパク質含量推定の検討, 荒井昌和, 中村渓士郎・石垣元気, 草地学会論文誌、69(1), 23-26, 2023.
(64) Electrode shape dependence of InGaAsP photovoltaic characteristics under laser irradiation for optical wireless and fiber power transmission, M. Arai, A. Kushiyama, Y. Motomura, K. Nishioka, The review of laser engineering, 51(3), 171-175, 2023.
(63) LiDAR とドローンを用いた牧草の収量推定,荒井 昌和 ,庄 中原 ,中村 渓士郎 ,石垣 元気 ,小川 将克,レーザー研究,第49巻10号,2021.
(62) Microscopic gain analysis of modulation-doped GeSn/SiGeSn quantum wells: epitaxial design toward high-temperature lasing, T. Fujisawa, M. Arai, and K. Saitoh, Optics Express, Vol. 27, Issue 3, p.2457, 2019.
(61) GaAsSb layer thickness dependence of arsenic incorporation on InAs/GaAsSb superlattice on InAs substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy for mid-infrared device, M. Arai, K. Takahashi, Y. Yamagata, Y. Inoue, R. Wakaki, and K. Maeda, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 57, 08PD05, 2018.
(60) Heteroepitaxial Growth of GaAs/Ge Buffer Layer on Si for Metamorphic InGaAs Lasers, R. Nakao, M. Arai, T. Kakitsuka and S. Matsuo, IEICE TRANSACTIONS on Electronics, E101.C(7), 537-544, 2018.
(59) GeSn/SiGeSn Multiple-Quantum-Well Electroabsorption Modulator with Taper Coupler for Mid-Infrared Ge-on-Si platform, M. Akie, T. Fujisawa, T. Sato, M Arai and K. Saitoh, IEEE Selected Topics on Quantum Electronics., Vol. 24, 3400208, 2018.
(58) 中赤外発光受光素子用III-V(Sb)系材料の結晶成長と評価, 荒井昌和,高橋翔,井上祐貴,藤原由生,吉元圭太,山形勇也,西岡賢祐,前田幸治,レーザー研究,第45巻12号,2017年.
(57) 1.3-μm InGaAs MQW Metamorphic Laser Diode Fabricated With Lattice Relaxation Control Based on In Situ Curvature Measurement, R. Nakao, M. Arai, W. Kobayashi, T. Yamamoto and S. Matsuo, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 21(6), 1501407, (2015.5)
(56) Novel approach for chirp and output power compensation applied to a 40-Gbit/s EADFB laser integrated with a short SOA, W. Kobayashi, M. Arai, T. Fujisawa, T. Sato, T. Ito, K. Hasebe, S. Kanazawa, Y. Ueda, T. Yamanaka and H. Sanjoh, Optics Express, 23(7), 9533-9542, (2015.4)
(55) Planar n-SI-n heterostructure athermal InP (110) optical modulator, Y. Ogiso, Y. Nakanishi, S. Kanazawa, E. Yamada, H. Tanobe, H. M. Arai, Y. Shibata and M. Kohtoku, Optics Express, 22(21), 25776-25781, (2014.10)
(54) Static properties of planar Mach-Zehnder optical modulator on (110) InP substrate, Y. Ogiso, M. Arai, T. Sato, Y. Shibata and M. Kohtoku, Electronics Letters, 49(14), 898-900, (2013.7)
(53) 1.3-μm range metamorphic InGaAs laser with high characteristic temperature for low power consumption operation, M. Arai, W. Kobayashi and M. Kohtoku, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 19(4), 1502207, (2013.7)
(52) Theoretical and experimental investigation of the incident-power-dependent extinction ratio of an electroabsorption modulator integrated with a distributed feedback laser, T. Fujisawa, T. Yamanaka, T. Tadokoro, N. Fujiwara, M. Arai, W.Kobayashi,Y.Kawaguchi,K. Tsuzuki and F. Kano, IEEE Journal of Quantum Electronics, 47(1), 60-65, (2011.1)
(51) Full C-band 10-Gb/s 40-km SMF transmission of InGaAlAs electroabsorption modulator, W. Kobayashi, N. Fujiwara, T. Yamanaka, T. Tadokoro, T. Fujisawa ,Y. Shibata,M. Ishikawa,M. Arai , K. Tsuzuki and F. Kano, IEEE Journal of Lightwave Technology, 28(20), 3012-3018, (2010.10)
(50) Many-body design of highly strained GaInNAs electroabsorption modulators on GaInAs ternary substrates, T. Fujisawa, M. Arai and F. Kano, Journal of Applied Physics, 107(9), 93107-93107-7, (2010.5)
(49) Design and fabrication of 10-/40-Gb/s, uncooled electroabsorption modulator integrated DFB laser with butt-joint structure, W. Kobayashi, M. Arai, T. Yamanaka, N. Fujiwara, T. Fujisawa, T. Tadokoro,K. Tsuzuki,Y. Kondo amd F. Kano, IEEE Journal of Lightwave Technology, 28(1), 164-171, (2010.1)
(48) 10-Gb/s direct modulation up to 100°C using 1.3-μm-range metamorphically grown strain compensated InGaAs-GaAs MQW laser on GaAs substrate, M. Arai, T. Tadokoro, T. Fujisawa, W. Kobayashi, K. Nakashima,M. Yuda and Y. Kondo, IEEE Photonics Technology Letters, 21(18), 1344-1346, (2009.10)
(47) Wide temperature range operation of a 1.55-μm 40-Gb/s electroabsorption modulator integrated DFB laser for very short-reach applications, W. Kobayashi, T. Yamanaka, M. Arai, N. Fujiwara, T. Fujisawa, K. Tsuzuki, T. Ito, T. Tadokoro and F. kano, IEEE Photonics Technology Letters, 21(18), 1317-1319, (2009.9)
(46) Wide Temperature Range (-25 °C-100 °C) Operation of a 10-Gb/s 1.55-μm Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser for 80-km SMF Transmission, W. Kobayashi, M. Arai, T. Yamanaka, N. Fujiwara, T. Fujisawa , M. Ishikawa, K. Tsuzuki, Y. Shibata, Y.Kondo and F. Kano, IEEE Photonics Technology Letters, 21(15), 1054-1056, (2009.8)
(45) 25 Gbit/s 1.3 μm InGaAlAs-based electroabsorption modulator integrated with DFB laser for metro-area (40 km)100 Gbit/s ethernet system, T. Fujisawa, M. Arai, N. Fujiwara, W. Kobayashi, T. Tadokoro , K . Tsuzuki, Y. Akage, R. Iga, T. Yamanaka and F. Kano, Electronics Letters, 45(17), 900-902, (2009.8)
(44) High-temperature operation of 1.26-μm ridge waveguide laser with InGaAs metamorphic buffer on GaAs substrate, M. Arai, K. Nakashima, T. Fujisawa, T. Tadokoro, W. Kobayashi , M. Yuda and Y. Kondo, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 15(3), 724-730, (2009.5)
(43) Uncooled (25-85 °C) 10 Gbit/s operation of 1.3 μm-range metamorphic Fabry-Perot laser on GaAs substrate, M. Arai, T. Tadokoro, T. Fujisawa, W. Kobayashi, K. Nakashima, M. Yuda and Y. Kondo , Electronics Letters, 45(7), 359-360, (2009.3)
(42) 10-Gbps Direct Modulation Using a 1.31-mu m Ridge Waveguide Laser on an InGaAs Ternary Substrate, M. Arai, W. Kobayashi, T. Fujisawa, M. Yuda, T. Tadokoro, K. Kinoshita , S. Yoda and Y. Kondo , Applied Physics Express, 2(2), 022101, (2009.2)
(41) Microscopic design of GaInNAs quantum well laser diodes on ternary substrates for high-speed and high-temperature operations, T. Fujisawa, M. Arai, T. Yamanaka, Y. Kondo and F. Kano, Journal of Applied Physics, 105(11), 113114 - 113114-8, (2009.1)
(40) High-temperature operation of 1.26 μm Fabry-Perot laser with InGaAs metamorphic buffer on GaAs substrate, M. Arai, T. Fujisawa, W. Kobayashi, K. Nakashima, M. Yuda and Y. Kondo , Electronics Letters, 44(23), 1359-1360, (2008.11)
(39) 10-Gb/s 100-km SMF Transmission Using InP Mach-Zehnder Modulator Monolithically Integrated With Semiconductor Optical Amplifier, T. Yasui, Y. Shibata, K. Tsuzuki, N. Kikuchi, M. Ishikawa ,Y. kawaguchi ,M. Arai and H.Yasaka ,IEEE Photonics Technology Letters, 20(13), 1178-1180, (2008.7)
(38) Enhanced temperature characteristics of InGaAs/InAlGaAs multi-quantum-well lasers on low-in-content InGaAs ternary substrates, T. Fujisawa, M. Arai, T. Kakitsuka, T. Yamanaka, Y. Kondo and H. Yasaka , Applied Physics Express, 1(4), 041203-041205, (2008.4)
(37) High-characteristic-temperature 1.3-μm-band laser on an InGaAs ternary substrate grown by the traveling liquidus-zone method, M. Arai, T. Watanabe, M. Yuda, K. Kinoshita, S. Yoda and Y. Kondo, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 13(5), 1295-1301, (2007.9)
(36) Noise characteristics of GaInNAsSb 1300-nm-range VCSEL with optical feedback for isolator-free module, M. Ariga, M. Arai, T. Kageyama, C. Setiagung, Y. Ikenaga ,N. Iwai,H. Shimizu,K. Nishikata, A. Kasukawa and F. Koyama,IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 11(5), 1074-1078, (2005.9)
(35) A thermally tunable GaAlAs-GaAs micromachined optical filter with submillisecond tuning speed T. Amano, T. Hino, F. Koyama, M. Arai and A. Matsutani, IEEE Photonics Technology Letters, 16(6), 1501-1503, (2004.6)
(34) Size reduction of tunable micromachined filters for fast wavelength tuning, T. Amano, T. Hino, W. Janto, M. Arai and F. Koyama, Japanese Journal of Applied Physics, 43(2A), L157-L159, (2004.2)
(33) Isolator-free 10 Gbit/s singlemode fibre data transmission using 1.1 μm GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser, T. Kondo, M. Arai, A. Matsutani, T. Miyamoto, F. Koyama, Electronics Letters, 40(1), 65-66, (2004.1)
(32) Micromachined GaAs/AlGaAs resonant-cavity light emitter with small temperature dependence of emission wavelength, T. Amano, F. Koyama, M. Arai and A. Matsutani, Japanese Journal of Applied Physics, 42(11B), L1377-L1379, (2003. 11)
(31) Multiple-wavelength GaInAs/GaAs surface emitting laser array with wide wavelength span, M. Arai, T. Kondo, A. Onomura, A. Matsutani, T. Miyamoto and F. Koyama, IEEE Journal of Selected Topics on Quantum Electronics, 9(5), 1367-1373, (2003.9)
(30) Design and fabrication of double-cavity tunable filter using micromachined structure, W. Janto, T. Amano, F. Koyama, A. Matsutani, T. Kondo and M. Arai， Japanese Journal of Applied Physics, 42(7B), L828-L830, (2003.7)
(29) Densely integrated multiple-wavelength vertical-cavity surface-emitting laser array, A. Onomura, M. Arai, T. Kondo, A. Matsutani, T. Miyamoto and F. Koyama, Japanese Journal of Applied Physics, 42(5B), L529-L531, (2003.3)
(28) Design and fabrication of GaAs-GaAlAs micromachined tunable filter with thermal strain control, T. Amano, F. Koyama, T. Hino, M. Arai, A. Mastutani, IEEE Journal of Lightwave Technology, 21(3), 596-601, (2003.3)
(27) Single-mode fiber transmission using 1.2-μm band GaInAs/GaAs surface emitting laser, T. Kondo, M. Arai, M. Azuchi, I. Uchida, A. Matsutani , I. Miyamoto and F. Koyama , Electronics Letters, 38(16), 901-902, (2002.8)
(26) GaAlAs/GaAs micromachined thermally tunable vertical cavity filter with low tuning voltage, T. Amano, F. Koyama, and M. Arai, Electronics Letters, 38(14), 738-740, (2002.7)
(25) Growth of highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on patterned substrate and its application for multiple-wavelength vertical cavity surface emitting laser array, M. Arai, T. Kondo, A. Matsutani, T. Miyamoto and F. Koyama IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 8(4), 811-816, (2002.7)
(24) Effect of annealing on highly strained GaInAs/GaAs quantum wells, T. Kondo, M. Arai, M. Azuchi, U. Uchida, T. Miyamoto and F. Koyama, Japanese Journal of Applied Physics, 41(6A), L612-L614, (2002.6)
(23) Low threshold current density operation of 1.16 μm highly strained GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting lasers on (100) GaAs substrate, T. Kondo, M. Arai, M. Azuchi, T. Uchida,A . Matsutani ,T. Miyamoto and F. Koyama, Japanese Journal of Applied Physics, 41(5B), L562-L564, (2002.5)
(22) Single high-order transverse mode surface emitting laser with micromachined surface relief, S. Shinada, F. Koyama, N. Nishiyama, and M. Arai, IEICE Transactions on Electronics, E85-C(4), 995-1000, (2002.4)
(21) Optical near field by vertical cavity surface emitting laser, S. Shinada, F. Koyama, N. Nishiyama, M. Arai, A. Matsutani, K. Goto and K. Iga , Electronics and Communications in Japan (Part II: Electronics), 85(2), 43-53, (2002.2)
(20) 1.4 μm GaInNAs/GaAs quantum well laser grown by chemical beam epitaxy, Y. Ikenaga, T. Miyamoto, S. Makino, T. Kageyama, M. Arai , F. Koyama and K. Iga , Japanese Journal of Applied Physics, 41(2A), L664-665, (2002.2)
(19) Composition dependence of thermal annealing effect on 1.3 μm range GaInNAs/GaAs quantum well lasers grown by chemical beam epitaxy, S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, Y. Ikenaga, M. Arai, F. Koyama and K. Iga, Japanese Journal of Applied Physics, 40(11B), L1211-L1213, (2001.11)
(18) Monolithic formation of metal organic chemical vapor deposition grown multi-wavelength vertical cavities with highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on GaAs (311)B, M. Arai, N. Nishiyama, M. Azuchi, A. Matsutani, F. Koyama and K. Iga, Japanese Journal of Applied Physics, 40(6A), 4056-4057, (2001.6)
(17) 1.12 um polarization controlled highly strained GaInAs vertical-cavity surface-emitting lasers on GaAs (311)B by metal organic chemical vapor deposition, N. Nishiyama, M. Arai, S. Shinada, M. Azuchi, A. Matsutani ,T. Miyamoto, F. Koyama and K. Iga, Japanese Journal of Applied Physics, 40(5A), L437-L439, (2001.5)
(16) GaInAs/GaAs single mode vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) array on GaAs (311)B, M. Arai, N. Nishiyama, M. Azuchi, S. Shinada, A. Matsutani ,F. Koyama and K. Iga , IEICE Transactions on Electronics, E84-C(3), 331-338, (2001.3)
(15) Highly strained GaInAs/GaAs quantum well vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (311)B substrate for stable polarization operation, N. Nishiyama, M. Arai, S. Shinada, M. Azuchi, T. Miyamoto , F. Koyama and K. Iga, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 7(2), 242-248, (2001.3)
(14) Analysis and fabrication of micro-aperture GaAs/GaAlAs surface emitting laser for near field optical data storage, S. Shinada, F. Koyama, N. Nishiyama, M. Arai, and K. Iga, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 7(2), 365-370, (2001.3)
(13) 1.15 mum lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311)B substrate with high characteristics temperature (T0=210)K, N. Nishiyama, M. Arai, S. Shinada, T. Miyamoto, F. Koyama and K. Iga, Japanese Journal of Applied Physics, 39(10B), L1046-1047, (2001.3)
(12) Growth and optical properties of highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on (311)B GaAs by MOCVD, N. Nishiyama, M Arai, S. Shinada, T. Miyamoto, F. Koyama and K. Iga, Journal of Crystal Growth, 221(1-4), 530-534, (2000.12)
(11) Continuous wave operation of 1.26 μm GaInNAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers grown by metalorganic chemical vapour deposition, S. Sato, N. Nishiyama, T. Miyamoto, T. Takahashi, N. Jikutani , M. Arai , A. Matsutani , F. Koyama and K. Iga , Electronics Letters, 36(24), 2018-2019, (2000.11)
(10) Optical near field by vertical surface emitting laser, S. Shinada, F. Koyama, N. Nishiyama, M. Arai, A. Matsutani, K. Goto and K. Iga, IEICE Transactions on Electronics, J83-C(9), 826-834, (2000.9)
(9) Highly stable single polarization operation of GaInAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (311)B substrate under high-speed modulation, M. Arai, N. Nishiyama, S. Shinada, A. Matsutani, F. Koyama and K. Iga, Japanese Journal of Applied Physics, 39(8B), L588-L 590, (2000.8)
(8) Vertical-cavity surface-emitting laser array on GaAs (311)B substrate exhibiting single-transverse mode and stable-polarization operation, M. Arai, N. Nishiyama, S. Shinada, A. Matsutani, F. Koyama and K. Iga, Japanese Journal of Applied Physics, 39(6B), L858-L860, (2000.6)
(7) Multi-oxide layer structure for single-mode operation in vertical-cavity surface-emitting lasers, N. Nishiyama , M. Arai, S. Shinada, K. Suzuki, F. Koyama and K. Iga, IEEE Photonics Technology Letters, 12(6), 606-608, (2000.6)
(6) AlAs oxidation system with H2O vaporizer for oxide-confined surface emitting lasers, M. Arai, N. Nishiyama, S. Shinada, F. Koyama, and K. Iga, Japanese Journal of Applied Physics, 39(6A), 3468-3469, (2000.5)
(5) Micromachined semiconductor vertical cavity for temperature insensitive surface emitting lasers and optical filters, F. Koyama, T. Amano, N. Furukawa, N. Nishiyama, M. Arai and K. Iga, Japanese Journal of Applied Physics, 39(3B), 1542-1545, (2000.3)
(4) Fabrication of micro-aperture surface emitting laser for near field optical data storage, S. Shinada, F. Koyama, N. Nishiyama, M. Arai, K. Goto and K. Iga, Japanese Journal of Applied Physics, 38(11B), L1327-L1329, (1999.11)
(3) Polarization characteristics of surface emitting laser grown on (311)B substrates under high speed modulation, N. Nishiyama, A. Mizutani, N. Hatori, S. Shinada, M. Arai , F. Koyama and K. Iga,IEICE Transactions on Electronics, J82-C-I (7), 421-427, (1999.7)
(2) Lasing characteristics of InGaAs-GaAs polarization controlled vertical-cavity surface-emitting laser grown on GaAs (311)B substrate, N. Nishiyama, A. Mizutani, N. Hatori, M. Arai, F. Koyama and K. Iga, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 5(3), 530-536, (1999.5)
(1) Single-transverse mode and stable polarization operation of InGaAs/GaAs vertical-cavity surface emitting laser grown on GaAs (311) B under high-speed modulation, N. Nishiyama, A. Mizutani, N. Hatori, M. Arai, F. Koyama and K. Iga, IEEE Photonics Technology Letters, 10(12), 1676-1678, (1998.12)
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(9)"Microscopic Gain analysis of Modulation-Doped GeSn Quantum Well: Epitaxial Design toward High-Temperature Lasing", Takeshi Fujisawa, Masakazu Arai, and Kunimasa Saitoh, 15th IEEE Group IV Photonics, Wa3, Mexico, (2018.8).
(8) "Metalorganic Precursors Dependence of Impurity Concentration in AlGaAsSb and Optical Characteristics of InAs / GaAsSb Superlattice", Kakeru Takahashi, Yuya Yamagata, Yuki Fujiwara, Yuki Inoue, Ryosuke Wakaki, Koji Maeda, and Masakazu Arai, 19th Internatinal Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX),P1-32, Nara, (2018.6).
(7) "Sn Concentration and Surface Morphology of GeSn Layer on GaAs (311)B Substrate Grown by MOVPE", Yuki Fujiwara, Kakeru Takahashi, Takaeshi Fujisawa, Koji Maeda, and Masakazu Arai, 19th Internatinal Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX),P1-39, Nara, (2018.6).
(6) "MOVPE Growth of AlGaInP Distributed Bragg Reflector on GaAs (311)B for Resonant Cavity Photovoltaic Receiver for Laser Light0", Masakazu Arai, Shinnosuke Tsuboyama, Kensuke Hiwada, Masaya Kamikado, Ryosuke Wakaki, and Koji Maeda, 19th Internatinal Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX),P2-30, Nara, (2018.6).
(5) "Emission Spectrum Evaluation of 0.8 - 1.1 μm Range Chirped Multiple Quantum Wells for Optical Sensing ",Masaya Kamikado , Yuga Imamura and Masakazu Arai, 22nd Microoptics Conference(MOC2017), P-85, Tokyo, (2017.11).
(4) "MOVPE Growth of Lattice Matched InAs/GaAsSb Superlattice on InAs Substrate for Mid-Infrared Sensing Devices ",Kakeru Takahashi, Yuki Fujiwara, Yuya Yamagata,Keita Yoshimoto, Yuki Inoue, Ryosuke Wakaki, Koji Maeda, Masakazu Arai, 22nd Microoptics Conference(MOC2017), P-83, Tokyo, (2017.11).
(3)" Wavelength Range Extension by Chirped and Nitrogen Incorporated InGaAs(N) Quantum Wells for Super Luminescent Diode", Yuga Imamura, Keita Yoshimoto, Masakazu Arai, 2017 CLEO Pacific Rim Conference, P3-113, Singapore, (2017.7).
(2) "Design and Growth of Metamorphic Sb-based materials on GaAs substrate for Mid-Infrared Photonic Devices", Keita Yoshimoto, Yuya Yamagata,Yuga Imamura and Masakazu Arai, 2017 CLEO Pacific Rim Conference, P3-112, Singapore, (2017.7).
(1)" A Compact And Low-loss GeSn Electroabsorption Modulator Using Vertical Multimode Interference For Mid-infrared Ge-on-Si Platform", Minami Akie, Takanori Sato, Masakazu Arai, Takeshi Fujisawa, Kunimasa Saitoh, 2017 CLEO Pacific Rim Conference, P3-107, Singapore, (2017.7).
国内学会発表
（83）「GaAs 基板上 InGaAs 格子緩和層の組成と量子井戸の発光強度の相関調査」、臼井 他、応用物理学会春季学術講演会、16p-B409-2、（2023.3）
（82）「2 段階成長 InAs バッファを用いた GaAs 基板上 InAsSb/InAsP の歪補償構造と発光特性の調査」、本部 他、応用物理学会春季学術講演会、16p-A301-5、（2023.3）
（81）「ハイパースペクトルカメラによるマンゴーの腐食領域の識別」、吉岡 他、近赤外フォーラム、P-24、（2022.11）
（80）「ハイパースペクトルカメラで短距離から撮影した牧草の植生指数分布評価」、下田平 他、近赤外フォーラム、P-03、（2022.11）
（79）「光ファイバを用いた牧草の反射・蛍光スペクトル測定」、坂倉 他、近赤外フォーラム、P-04、（2022.11）
（78）「有機金属気相成長法により中赤外デバイス用超格子の作製」、荒井 他、結晶成長国内会議、31p-A10、（2022.10）
（77）「1.06ミクロン帯光無線給電、光ファイバ給電用光電変換素子」、本村 他、電子情報通信学会LQE、LQE2022-43、（2022.10）
（76）「円形外周電極をつけたレーザ受光用InGaAsP光電変換素子の評価」、荒井 他、応用物理学会秋季学術講演会、21p-C301-9、（2022.9）
（75）「GaAs 基板上メタモルフィック InAsSb の積み増しアニールによる結晶性改善の検討」、中川 他、応用物理学会秋季学術講演会、21a-A105-2、（2022.9）
（74）「InAs 基板上 InAsSb/InAsP 量子井戸の歪補償構造と発光特性の調査」、本部 他、応用物理学会秋季学術講演会、21a-A105-3、（2022.9）
（73）「InGaAsP光電変換素子のレーザ照射下の効率を高める構造検討 」本村、光通信研究会、P-2-15、（2022.8）
（72）「InAsSb/InAsP量子井戶の歪補償による多層化の検討」、本部、光通信研究会、P-3-13、（2022.8）
（71）「GaAs基板上InAsSbの平坦性とPL強度に対する熱アニールの影響の検討」、中川、光通信研究会、P-1-17、（2022.8）
（70）「牧草中の粗タンパク質含量の非破壊推定のための蛍光測定」、坂倉 他、日本草地学会、211、（2022.3）
（69）「中赤外光吸収測定による牧草中の硝酸態窒素含量推定の検討」、下田平 他、日本草地学会、214、（2022.3）
（68）「GaAs基板上メタモルフィックInAsSbへの熱アニールによる結晶性への影響評価」、中川 他、応用物理学会春季学術講演会、26p-E301-7、（2022.3）
（67）「InGaSb層を導入したGaAs基板上InAsSbの結晶性評価」、本部 他、応用物理学会春季学術講演会、23a-F407-4、（2022.3）
（66）「レーザ受光用InGaAsP光電変換素子における窓層の効果の評価」、本村 他、応用物理学会春季学術講演会、26p-E301-11、（2022.3）
（65）「電極厚さがレーザ受光用光電変換素子の特性に及ぼす影響の調査 」、櫛山他、応用物理学会秋季学術講演会、10p-N103-12、（2021.9）
（64）「GaAs/InAs/GaAsヘテロ構造の電気特性、中赤外受光感 度特性評価」、荒井他、応用物理学会秋季学術講演会、10p-N103-11、（2021.9）
（63）「GaAs基板上メタモルフィックInAsへのZnドーピングによる表面ラフネス改善」、中川、光通信研究会、P-3-25、（2021.8）
（62）「レーザ受光用光電変換デバイスの電極膜厚，形状の最適化」、櫛山、光通信研究会、P-2-29、（2021.8）
（61）「シリコン基板上中赤外デバイスに向けた結晶成長技術」、荒井、光通信研究会、E-1、（2021.8）
（60）「GaAs基板上InAs成長層の表面ラフネスへのZnドープの影響調査」、中川 他、応用物理学会春季学術講演会、17p-Z28-6、（2021.3.）
（59）「レーザ受光用光電変換素子の電極幅と特性の相関調査」、櫛山 他、応用物理学会春季学術講演会、19a-Z22-4、（2021.3）
（58）「ドローンに搭載したレーザーセンサによる牧草の生育計測」、荒井 他、レーザー学会、 、（2021.1）
（57）「青色レーザ用 GaP 光電変換デバイスの特性評価」、櫛山 他、応用物理学会九州支部学術講演会、28Ap-12、（2020.11）
（56）「SIMS、XRD を用いた InAs/GaSb 超格子中の As 濃度推定」、今村 他、応用物理学会九州支部学術講演会、29Ba-4、（2020.11）
（55）「InAs 基板上に MOVPE 法で作製した 電流注入による中赤外発光を目指した InAs/GaSb 超格 子の PL による評価」、岩崎 他、応用物理学会九州支部学術講演会、28Ap-13、（2020.11）
（54）「MOVPE 法で作製した InAs/GaSb 超格子の中赤外 PL スペクトルの励起強度依存性」、大濱 他、応用物理学会九州支部学術講演会、28Ap-14、（2020.11）
（53）「有機金属気相成長法を用いて格子緩和層上に成長させた超格子のフォトルミネッセンスによる 評価」、阿萬 他、応用物理学会九州支部学術講演会、29Ba-5、（2020.11）
（52）「牧草の蛍光測定と粗タンパク質含量の相関調査」、坂倉 他、近赤外フォーラム、P-15、（2020.11）
（51）「牧草の粗タンパク質含有率推定のための植生指数画像計測の検討」、北 他、近赤外フォーラム、P-14、（2020.11）
（50）「牧草の収量予測のための近赤外波長帯LiDARによる草高計測」、庄 他、近赤外フォーラム、P-05、（2020.11）
（49）「青色レーザ受光用GaP光電変換デバイスの作製と特性評価」、荒井 他、応用物理学会秋季学術講演会、9p-Z13-13 、（2020.9）
（48）「MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の中赤外PLピー クエネルギーの温度依存性」、大濱 他、応用物理学会秋季学術講演会、9p-Z13-12 、（2020.9）
（47）「LiDARを用いたローズグラスの収量予測技術の基礎的研究」、中村 他、草地学会 静岡、P09、（2020.3）
（46）「牧草の粗タンパク質成分を遠隔推定するためのCMOSカメラ画像の太陽光スペクトル補正方法の検討」、庄 他、草地学会 静岡、P05、（2020.3）
（45）「牧草の粗タンパク質成分の推定のための2波長のフィルターを用いて撮影した画像の処理の検討」、北 他、草地学会 静岡、P15、（2020.3）
（44）「青色レーザ受光用InAlPおよびGaP光電変換デバイスの成長と特性評価」、荒井 他、応用物理学会 上智、13p-PA5-13、（2020.3）
（43）「InAs/GaSb超格子のV族混晶化の成長中断時間による制御」、今村 他、応用物理学会 上智、13p-PA5-12、（2020.3）
（42）「光無線給電用InGaP光電変換デバイスの電極形状依存性」、大石 他、応用物理学会 上智、15p-B410-6、（2020.3）
（41）「中赤外デバイスのためのMOVPE法によるInAs/GaSb超格子の組成・層厚制御」、今村 他、Photonic Device Workshop2019 早稲田、P-(20)、（2019.12）
（40）「太陽光スペクトルの変化による植生指数（NDVI)の算出誤差を断続LED照射により低減する手法の検討」、庄 他、応用物理学会 北海道、18a-PA3-9、（2019.9）
（39）「2段階バッファ層を用いたメタモルフィックIｎAs/GaSb超格子の作製と評価」、今村 他、応用物理学会 北海道、18p-B31-4、 （2019.9）
（38）「光無線給電用GaAsおよびInGaP受光デバイスの作製と評価」、坪山 他、応用物理学会 北海道、19a-PA3-8、（2019.9）
（37）「イネ科牧草の粗タンパク質含有率と植生指数の相関の調査」、中村 他、日本リモートセンシング学会（東京）、P8、（2019.6）
（36）「植生指数の遠隔推定のための太陽光反射スペクトル補正方法の検討」、庄 他、草地学会 、P02、（2019.3）
（35）「ローズグラスにおける反射スペクトル情報を用いた粗たんぱく質含有量推定」、中村 他、草地学会 、P04、（2019.3）
（34）「MOVPE法によるInAs/GaSb超格子成長時の異種V族混入量の推定」、今村 他、応用物理学会学術講演会、11a-S422-9（2019.3）
（33）「ラマン測定を用いた有機金属気相成長法で作製したGaSb厚の異なるInAs/GaSb超格子結晶評価」、浅生 他、応用物理学会学術講演会、11p-PA4-13、（2018.3）
（32）「光センシング用広帯域光源のためのくさび形パターン基板上MOVPE成長」、神門 他、応用物理学会九州支部大会、（2018.12）
（31）「LIDARを用いたイネ科牧草採草地の収量推定法の検討」、宮路 他、近赤外フォーラム、P-08、（2018.11）
（30）「茶葉含水率のリモートセンシングに向けた近赤外光反射スペクトル解析」、中村 他、近赤外フォーラム、P-23、（2018.11）
（29）「２次元LEDアレイと太陽電池を用いた光無線給電効率の波長依存性」、坪山 他、電子情報通信学会、C-4-9、（2018.9）
（28）「AlGaInP系多層膜反射鏡を用いた光無線給電用受光デバイスの成長検討」、荒井 他、応用物理学会学術講演会、19p-PB6-7、（2018.9）
（27）「AlGaInPを用いた光無線給電用単色光受光デバイスの検討」、日和田 他、応用物理学会学術講演会、18ｐ-232-8、（2018.9）
（26）「ウシにおける光学式血流センサー装着部位、方法の検討」、栗原 他、日本畜産学会第124回大会 (東京大学)、（2018.3）
（25）「MOVPE法で作製した層厚の異なる InAs/GaAsSb超格子の光学特性評価」、若城 他、応用物理学会学術講演会 (早稲田大学)、18ｐ-P8-14、（2018.3）
（24）「マイクロラマン分光法によるInGaAsP/InP膜の応力分布測定」、山本 他、応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎観光ホテル)、3Ca-6、 （2017.12）
（23）「Relationship between Substrate Orientation and Surface Morphology of GeSn Grown on GaAs Substrate」,Y. Fujiwara,応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎観光ホテル),1Cp-16,(2017.12)
（22）「Effect of Arsenic Incorporation into InAs / GaAsSb Superlattice Grown by MOVPE for Mid-Infrared Device」,K. Takahashi,応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎観光ホテル),1Cp-11,(2017.12)
（21）「MOVPE法で作製したInAs基板上n-AlGaAsSbクラッド層の上のInAs層の光学特性評価」、井上 他、応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎観光ホテル)、3Ca-7、（2017.12）
（20）「GaAsSb/GaAs(001)成長中の3次元逆格子マッピングによる歪み緩和のメカニズムの解析」、野川 他、応用物理学会九州支部学術講演会 (宮崎観光ホテル)、3Ca-2、（2017.12）
（19）「イネ科牧草中のタンパク質含量推定のための反射率評価」、中村 他、近赤外フォーラム、P-18、（2017.11）
（18）「イネ科牧草採草地の収量推定システム実現に向けた基礎検討」、宮路 他、近赤外フォーラム、P-19、（2017.11）
（17）「中赤外波長帯発光・受光デバイスのためのIII-V族、IV族結晶成長技術」、荒井 他、電子情報通信学会 熊本、（2017.10）
（16）「中赤外波長帯発光・吸収材料のMOVPE成長」、荒井 他、レーザー学会、RTM-17-21、（2017.9）
（15）「中赤外光センシングデバイスに向けたInAs基板上格子整合InAs/GaAsSb Type-Ⅱ超格子のMOVPE成長」、高橋 他、応用物理学会 福岡、5p-PB1-2（2017.9）
（14）「光センシング用広帯域光源のための複合量子井戸の発光スペクトル評価」、神門 他、応用物理学会 福岡、5p-PB1-1、（2017.9）
（13）「MOVPE法によるn-InAs基板上n-AlGaAsSbクラッド層の成長 および波長3ミクロン帯活性層構造の検討」、山形 他、応用物理学会 福岡、6p-PA7-12（2017.9）
（12）「MOVPE法によるGeSn層とGaAs層の一括成長の検討」、藤原 他、応用物理学会、5p-C21-8（2017.9）
（11）「MOVPE 法を用いた InAs 基板上InAsSb 量子井戸の歪補償障壁層検討」、吉元 他、応用物理学会 神奈川、17a-B5-10、（2017.3）
（10）「MOVPE法によるInAs基板上AlGaAsSb成長におけるAl材料依存性」、山形 他、応用物理学会 神奈川、17p-P2-13、（2017.3）
（9）「光通信用デバイス材料研究と光センシングへの展開」、荒井、レーザー学会、特別講演（2）、（2016.9）
（8）「１ミクロン帯光センシング用光源の波長域を拡大させる量子井戸構造の検討」、今村 他、電気・情報関係学会九州支部連合大会 宮崎、05-2P-04（2016.9）
（7）「中赤外帯域 InAsSb 量子井戸成長における障壁層材料依存性」、吉元 他、応用物理学会 新潟、15a-P11-7、（2016.9）
（6）「光センシング用SLDの利得波長帯域を拡大するInGaAs, InGaAsN量子井戸の複合構造の検討」、今村 他、応用物理学会 新潟、15a-P6-1、(2016.9)
（5）「MOVPE法による中赤外帯域光デバイス実現のためのGaAs基板上InAsSbメタモルフィック成長」、吉元 他、 電子材料シンポジウム（EMS) 、滋賀、（2016.7）
（4）「波長 3-5 µm 帯 GaAs 基板上 InAsSb の MOVPE 成長 」、今村 他、応用物理学会春季学術講演会 、東京、（2016.3）
（3）「メタモルフィック成長を用いた中赤外帯域 type-I 型レーザの構造検討 」、吉元 他、応用物理学会春季学術講演会 、東京、（2016.3）
（2）「光ガスセンシング用中赤外半導体レーザ、ＬＥＤ、受光素子のための格子歪緩和による波長域拡大の検討 」、吉元 他、レーザー学会学術講演会、名古屋、（2016.1）
（1） 「光センシング用半導体レーザの波長掃引効率を高める構造検討 」、荒井 他、応用物理学会九州支部学術講演会 、沖縄、（2015.12）