（84）「3.3ミクロン帯共振型LED構造のMOVPE成長と光学特性評価」、荒井他、応用物理学会秋季学術講演会、（2023.9）

（83）「GaAs 基板上 InGaAs 格子緩和層の組成と量子井戸の発光強度の相関調査」、臼井 他、応用物理学会春季学術講演会、16p-B409-2、（2023.3）

（82）「2 段階成長 InAs バッファを用いた GaAs 基板上 InAsSb/InAsP の歪補償構造と発光特性の調査」、本部 他、応用物理学会春季学術講演会、16p-A301-5、（2023.3）

（81）「ハイパースペクトルカメラによるマンゴーの腐食領域の識別」、吉岡 他、近赤外フォーラム、P-24、（2022.11）

（80）「ハイパースペクトルカメラで短距離から撮影した牧草の植生指数分布評価」、下田平 他、近赤外フォーラム、P-03、（2022.11）

（79）「光ファイバを用いた牧草の反射・蛍光スペクトル測定」、坂倉 他、近赤外フォーラム、P-04、（2022.11）

（78）「有機金属気相成長法により中赤外デバイス用超格子の作製」、荒井 他、結晶成長国内会議、31p-A10、（2022.10）

（77）「1.06ミクロン帯光無線給電、光ファイバ給電用光電変換素子」、本村 他、電子情報通信学会LQE、LQE2022-43、（2022.10）

（76）「円形外周電極をつけたレーザ受光用InGaAsP光電変換素子の評価」、荒井 他、応用物理学会秋季学術講演会、21p-C301-9、（2022.9）

（75）「GaAs 基板上メタモルフィック InAsSb の積み増しアニールによる結晶性改善の検討」、中川 他、応用物理学会秋季学術講演会、21a-A105-2、（2022.9）

（74）「InAs 基板上 InAsSb/InAsP 量子井戸の歪補償構造と発光特性の調査」、本部 他、応用物理学会秋季学術講演会、21a-A105-3、（2022.9）

（73）「InGaAsP光電変換素子のレーザ照射下の効率を高める構造検討 」、本村、光通信研究会、P-2-15、（2022.8）

（72）「InAsSb/InAsP量子井戶の歪補償による多層化の検討」、本部、光通信研究会、P-3-13、（2022.8）

（71）「GaAs基板上InAsSbの平坦性とPL強度に対する熱アニールの影響の検討」、中川、光通信研究会、P-1-17、（2022.8）

（70）「牧草中の粗タンパク質含量の非破壊推定のための蛍光測定」、坂倉 他、日本草地学会、211、（2022.3）

（69）「中赤外光吸収測定による牧草中の硝酸態窒素含量推定の検討」、下田平 他、日本草地学会、214、（2022.3）

（68）「GaAs基板上メタモルフィックInAsSbへの熱アニールによる結晶性への影響評価」、中川 他、応用物理学会春季学術講演会、26p-E301-7、（2022.3）

（67）「InGaSb層を導入したGaAs基板上InAsSbの結晶性評価」、本部 他、応用物理学会春季学術講演会、23a-F407-4、（2022.3）

（66）「レーザ受光用InGaAsP光電変換素子における窓層の効果の評価」、本村 他、応用物理学会春季学術講演会、26p-E301-11、（2022.3）

（65）「電極厚さがレーザ受光用光電変換素子の特性に及ぼす影響の調査 」、櫛山 他、応用物理学会秋季学術講演会、10p-N103-12、（2021.9）

（64）「GaAs/InAs/GaAsヘテロ構造の電気特性、中赤外受光感 度特性評価」、荒井 他、応用物理学会秋季学術講演会、10p-N103-11、（2021.9）

（63）「GaAs基板上メタモルフィックInAsへのZnドーピングによる表面ラフネス改善」、中川、光通信研究会、P-3-25、（2021.8）

（62）「レーザ受光用光電変換デバイスの電極膜厚，形状の最適化」、櫛山、光通信研究会、P-2-29、（2021.8）

（61）「シリコン基板上中赤外デバイスに向けた結晶成長技術」、荒井、光通信研究会、E-1、（2021.8）

（60）「GaAs基板上InAs成長層の表面ラフネスへのZnドープの影響調査」、中川 他、応用物理学会春季学術講演会、17p-Z28-6、（2021.3）

（59）「レーザ受光用光電変換素子の電極幅と特性の相関調査」、櫛山 他、応用物理学会春季学術講演会、19a-Z22-4、（2021.3）

（58）「ドローンに搭載したレーザーセンサによる牧草の生育計測」、荒井 他、レーザー学会、（2021.1）

（57）「青色レーザ用 GaP 光電変換デバイスの特性評価」、櫛山 他、応用物理学会九州支部学術講演会、28Ap-12、（2020.11）

（56）「SIMS、XRD を用いた InAs/GaSb 超格子中の As 濃度推定」、今村 他、応用物理学会九州支部学術講演会、29Ba-4、（2020.11）

（55）「InAs 基板上に MOVPE 法で作製した 電流注入による中赤外発光を目指した InAs/GaSb 超格 子の PL による評価」、岩崎 他、応用物理学会九州支部学術講演会、28Ap-13、（2020.11）

（54）「MOVPE 法で作製した InAs/GaSb 超格子の中赤外 PL スペクトルの励起強度依存性」、大濱 他、応用物理学会九州支部学術講演会、28Ap-14、（2020.11）

（53）「有機金属気相成長法を用いて格子緩和層上に成長させた超格子のフォトルミネッセンスによる 評価」、阿萬 他、応用物理学会九州支部学術講演会、29Ba-5、（2020.11）

（52）「牧草の蛍光測定と粗タンパク質含量の相関調査」、坂倉 他、近赤外フォーラム、P-15、（2020.11）

（51）「牧草の粗タンパク質含有率推定のための植生指数画像計測の検討」、北 他、近赤外フォーラム、P-14、（2020.11）

（50）「牧草の収量予測のための近赤外波長帯LiDARによる草高計測」、庄 他、近赤外フォーラム、P-05、（2020.11）

（49）「青色レーザ受光用GaP光電変換デバイスの作製と特性評価」、荒井 他、応用物理学会秋季学術講演会、9p-Z13-13 、（2020.9）

（48）「MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の中赤外PLピー クエネルギーの温度依存性」、大濱 他、応用物理学会秋季学術講演会、9p-Z13-12 、（2020.9）

（47）「LiDARを用いたローズグラスの収量予測技術の基礎的研究」、中村 他、草地学会 　静岡、P09、（2020.3）

（46）「牧草の粗タンパク質成分を遠隔推定するためのCMOSカメラ画像の太陽光スペクトル補正方法の検討」、庄 他、草地学会 　静岡、P05
、（2020.3）

（45）「牧草の粗タンパク質成分の推定のための2波長のフィルターを用いて撮影した画像の処理の検討」、北 他、草地学会 　静岡、P15、（2020.3）

（44）「青色レーザ受光用InAlPおよびGaP光電変換デバイスの成長と特性評価」、荒井 他、応用物理学会　上智、13p-PA5-13、（2020.3）

（43）「InAs/GaSb超格子のV族混晶化の成長中断時間による制御」、今村 他、応用物理学会　上智、13p-PA5-12、（2020.3）

（42）「光無線給電用InGaP光電変換デバイスの電極形状依存性」、大石 他、応用物理学会　上智、15p-B410-6、（2020.3）

（41）「中赤外デバイスのためのMOVPE法によるInAs/GaSb超格子の組成・層厚制御」、今村 他、Photonic Device Workshop2019　早稲田、P-(20)、（2019.12）

（40）「太陽光スペクトルの変化による植生指数（NDVI)の算出誤差を断続LED照射により低減する手法の検討」、庄 他、応用物理学会　北海道、18a-PA3-9、（2019.9）

（39）「2段階バッファ層を用いたメタモルフィックIｎAs/GaSb超格子の作製と評価」、今村 他、応用物理学会　北海道、18p-B31-4、　　　　（2019.9）

（38）「光無線給電用GaAsおよびInGaP受光デバイスの作製と評価」、坪山 他、応用物理学会　北海道、19a-PA3-8、（2019.9）

（37）「イネ科牧草の粗タンパク質含有率と植生指数の相関の調査」、中村 他、日本リモートセンシング学会（東京）、P8、（2019.6）

（36）「植生指数の遠隔推定のための太陽光反射スペクトル補正方法の検討」、庄 他、草地学会 、P02、（2019.3）

（35）「ローズグラスにおける反射スペクトル情報を用いた粗たんぱく質含有量推定」、中村 他、草地学会 、P04、（2019.3）

（34）「MOVPE法によるInAs/GaSb超格子成長時の異種V族混入量の推定」、今村 他、応用物理学会学術講演会、11a-S422-9（2019.3）

（33）「ラマン測定を用いた有機金属気相成長法で作製したGaSb厚の異なるInAs/GaSb超格子結晶評価」、浅生 他、応用物理学会学術講演会、11p-PA4-13、（2018.3）

（32）「光センシング用広帯域光源のためのくさび形パターン基板上MOVPE成長」、神門 他、応用物理学会九州支部大会、（2018.12）

（31）「LIDARを用いたイネ科牧草採草地の収量推定法の検討」、宮路 他、近赤外フォーラム、P-08、（2018.11）

（30）「茶葉含水率のリモートセンシングに向けた近赤外光反射スペクトル解析」、中村 他、近赤外フォーラム、P-23、（2018.11）

（29）「２次元LEDアレイと太陽電池を用いた光無線給電効率の波長依存性」、坪山 他、電子情報通信学会、C-4-9、（2018.9）

（28）「AlGaInP系多層膜反射鏡を用いた光無線給電用受光デバイスの成長検討」、荒井 他、応用物理学会学術講演会、19p-PB6-7、（2018.9）

（27）「AlGaInPを用いた光無線給電用単色光受光デバイスの検討」、日和田 他、応用物理学会学術講演会、18ｐ-232-8、（2018.9）

（26）「ウシにおける光学式血流センサー装着部位、方法の検討」、栗原 他、日本畜産学会第124回大会  (東京大学)、（2018.3）

（25）「MOVPE法で作製した層厚の異なる InAs/GaAsSb超格子の光学特性評価」、若城 他、応用物理学会学術講演会  (早稲田大学)、18ｐ-P8-14、（2018.3）

（24）「マイクロラマン分光法によるInGaAsP/InP膜の応力分布測定」、山本 他、応用物理学会九州支部学術講演会  (宮崎観光ホテル)、3Ca-6、（2017.12）

（23）「Relationship between Substrate Orientation and Surface Morphology of GeSn Grown on GaAs Substrate」,Y. Fujiwara,応用物理学会九州支部学術講演会  (宮崎観光ホテル),1Cp-16,(2017.12)

（22）「Effect of Arsenic Incorporation into InAs / GaAsSb Superlattice Grown by MOVPE for Mid-Infrared Device」,K. Takahashi,応用物理学会九州支部学術講演会  (宮崎観光ホテル),1Cp-11,(2017.12)

（21）「MOVPE法で作製したInAs基板上n-AlGaAsSbクラッド層の上のInAs層の光学特性評価」、井上 他、応用物理学会九州支部学術講演会  (宮崎観光ホテル)、3Ca-7、（2017.12）

（20）「GaAsSb/GaAs(001)成長中の3次元逆格子マッピングによる歪み緩和のメカニズムの解析」、野川 他、応用物理学会九州支部学術講演会  (宮崎観光ホテル)、3Ca-2、（2017.12）

（19）「イネ科牧草中のタンパク質含量推定のための反射率評価」、中村 他、近赤外フォーラム、P-18、（2017.11）

（18）「イネ科牧草採草地の収量推定システム実現に向けた基礎検討」、宮路 他、近赤外フォーラム、P-19、（2017.11）

（17）「中赤外波長帯発光・受光デバイスのためのIII-V族、IV族結晶成長技術」、荒井 他、電子情報通信学会　熊本、（2017.10）

（16）「中赤外波長帯発光・吸収材料のMOVPE成長」、荒井 他、レーザー学会、RTM-17-21、（2017.9）

（15）「中赤外光センシングデバイスに向けたInAs基板上格子整合InAs/GaAsSb Type-Ⅱ超格子のMOVPE成長」、高橋 他、応用物理学会　福岡、5p-PB1-2（2017.9）

（14）「光センシング用広帯域光源のための複合量子井戸の発光スペクトル評価」、神門 他、応用物理学会　福岡、5p-PB1-1、（2017.9）

（13）「MOVPE法によるn-InAs基板上n-AlGaAsSbクラッド層の成長 および波長3ミクロン帯活性層構造の検討」、山形 他、応用物理学会　福岡、6p-PA7-12（2017.9）

（12）「MOVPE法によるGeSn層とGaAs層の一括成長の検討」、藤原 他、応用物理学会、5p-C21-8（2017.9）

（11）「MOVPE 法を用いた InAs 基板上InAsSb 量子井戸の歪補償障壁層検討」、吉元 他、応用物理学会　神奈川、17a-B5-10、（2017.3）

（10）「MOVPE法によるInAs基板上AlGaAsSb成長におけるAl材料依存性」、山形 他、応用物理学会　神奈川、17p-P2-13、（2017.3）

（9）「光通信用デバイス材料研究と光センシングへの展開」、荒井、レーザー学会、特別講演（2）、（2016.9）

（8）「１ミクロン帯光センシング用光源の波長域を拡大させる量子井戸構造の検討」、今村 他、電気・情報関係学会九州支部連合大会　宮崎、05-2P-04（2016.9）

（7）「中赤外帯域 InAsSb 量子井戸成長における障壁層材料依存性」、吉元 他、応用物理学会　新潟、15a-P11-7、（2016.9）

（6）「光センシング用SLDの利得波長帯域を拡大するInGaAs, InGaAsN量子井戸の複合構造の検討」、今村 他、応用物理学会　新潟、15a-P6-1、(2016.9)

（5）「MOVPE法による中赤外帯域光デバイス実現のためのGaAs基板上InAsSbメタモルフィック成長」、吉元 他、 電子材料シンポジウム（EMS) 、滋賀、（2016.7）

（4）「波長 3-5 µm 帯 GaAs 基板上 InAsSb の MOVPE 成長  」、今村 他、応用物理学会春季学術講演会 、東京、（2016.3）

（3）「メタモルフィック成長を用いた中赤外帯域 type-I 型レーザの構造検討 」、吉元 他、応用物理学会春季学術講演会 、東京、（2016.3）

（2）「光ガスセンシング用中赤外半導体レーザ、ＬＥＤ、受光素子のための格子歪緩和による波長域拡大の検討 」、吉元 他、レーザー学会学術講演会、名古屋、（2016.1）

（1）　「光センシング用半導体レーザの波長掃引効率を高める構造検討 」、荒井 他、応用物理学会九州支部学術講演会 、沖縄、（2015.12）